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考试科目名称：半导体物理
科目代码：846
一、物理基础
1．晶体中原子的结合。
2．晶体结构与对称性。
3．常见晶体结构。
4．晶格振动与声子。
5．光学声子与声学声子。
二、半导体材料的能带结构
1．能带的形成。
2．导带、价带、禁带及禁带宽度。
3．材料的导电性能与能带结构的关系。
4．直接带隙与间接带隙。
5．导带电子与价带空穴，载流子。
6．电子与空穴的有效质量。
7．施主与受主，类氢原子近似。
8．P型、N型和本征半导体材料的特点。
9．杂质对半导体导电性能的影响。
三、半导体材料的电学性能
1．外场下半导体材料中载流子的运动形式。
2．半导体材料的迁移率与电导率。
3．半导体材料的电学性能随温度的变化。
4．半导体材料的电学性能随杂质浓度的变化。
5．半导体材料的光电导与非平衡载流子。
6．半导体材料的霍尔效应。
7．半导体材料的热电现象。
四、半导体器件
1.PN结的结构与电学性能，I-V曲线。
2.MOS器件的结构、工作原理及电学性能特点。
3.双极型三极管的结构、工作原理及电学性能特点
4.发光二极管的工作原理。
5.太阳能电池的工作原理。
6.半导体温度传感器的工作原理。
五、半导体材料分析测试技术
1.半导体材料禁带宽度的测量方法。
2.半导体材料中杂质电离能的测量。
3.半导体材料载流子浓度的测量方法。
4.半导体材料电阻率的测量。
5.半导体材料中载流子迁移率的测量方法。
6.半导体材料中少数载流子寿命的测量方法。
参考书目：《半导体物理》(第1版)，季振国编，浙江大学出版社，2005.9
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